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氮化铝AlN陶瓷薄膜

氮化铝AIN陶瓷结构和成份
氮化铝AIN陶瓷结构和成份主要是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。
化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。
此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。   
性能:AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。 如热压烧结AIN陶瓷,其密度为3 .2一3 .3g/cm3,抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa),弹性模量310 GPa,热导率20-30W.m(-1).K(-1),热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。
应用:氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。由于AIN陶瓷具有高导热、高绝缘性,可作为半导体的基体材料,其热阻与氧化被陶瓷相当,比氧化铝陶瓷低很多,可用作散热片、半导体器件的绝缘热基片,提高基片材料散热能力和封装密度,可用于双列直插式封装、扁平封装
氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

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氮化铝AlN陶瓷一般指高温共烧陶瓷,具有六方纤锌矿结构的共价晶体,导热率高,热  膨胀系数与Si和GaAs匹配。介电常数,介质损耗、介电强度优良,机械性能好,抗折强度高,可以常压在1600°C烧结,是一种高功率集成电路基片的 未来使用材料。
氮化铝AlN纳米体育、HTCC高温共烧陶瓷HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN纳米体育都是指纳米体育的烧结化温度达至1,600°C或以上。HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN纳米体育因膜厚关系,流延膜的干燥时间必须较长。因此必须使用水平式流延机,配合可调式温度和风量设置。此外,由于烧结温度较高,必须使用钼板作为承烧板及钨浆作为电极材料。工艺技术难度水平要求比一般低温烧结纳米体育为高。高温烧结炉大部份需要还原气氛,所以炉价非常高昂,工序更为繁复,烧结后的纳米体育更加需要推板炉作整平处理。
纳米体育(中国)官方网站提供氮化铝AlN片流延生产设备,用于企业研发生产光传输特性优良的基片,应用于LED照明等陶瓷基板上。